Différence entre l'implantation et la diffusion d'ions

L'implantation et la diffusion ioniques sont deux techniques utilisées dans la production de semi-conducteurs avec d'autres matériaux. La principale différence entre l'implantation ionique et la diffusion est que l'implantation ionique est isotrope et très directionnelle alors que la diffusion est isotrope et qu'il y a diffusion latérale.

1. Pourquoi l'implantation ionique est préférée à la diffusion?
2. Qu'entend-on par implantation ionique?
3. Quel est l'avantage d'utiliser le processus d'implantation ionique?
4. Pourquoi un recuit est nécessaire après l'implantation ionique?
5. Qu'est-ce que l'implantation ionique dans un semi-conducteur?
6. Qu'est-ce que le recuit dans l'implantation ionique?
7. Qu'est-ce que la canalisation ionique?
8. Qu'est-ce que le durcissement à la flamme et l'implantation ionique?
9. Que contient la source d'ions?

Pourquoi l'implantation ionique est préférée à la diffusion?

Nous avons vu comment des dopants étaient introduits dans une plaquette en utilisant la diffusion («prédéposition» et «drive-in»). L'implantation ionique est préférée car: - une dose contrôlée, faible ou élevée peut être introduite (1011 - 1018 cm-2) - la profondeur de l'implant peut être contrôlée. Utilisé depuis 1980, malgré les dommages au substrat; faible débit et coût.

Qu'entend-on par implantation ionique?

L'implantation ionique est un processus de traitement de surface dans lequel les ions d'azote ou de carbone sont accélérés et amenés à pénétrer la surface d'un composant pour lui conférer une résistance à l'usure. ... En utilisant cette approche, un faisceau d'ions à haute énergie (50 à 200 keV) peut être dirigé sur la surface du composant.

Quel est l'avantage d'utiliser le processus d'implantation ionique?

Les avantages de l'implantation ionique comprennent la possibilité d'implanter pratiquement toutes les espèces ioniques dans n'importe quel substrat avec un niveau élevé de contrôle de l'emplacement (latéral et de la profondeur) et de la composition.
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introduction.

Pourquoi un recuit est nécessaire après l'implantation ionique?

Pendant l'implantation, les dopants implantés sont bombardés dans le silicium, et ce processus produit des défauts ponctuels dans le réseau. ... La condition de recuit a un effet majeur sur les cellules solaires à implantation ionique car elles contrôlent l'activation et le profil de diffusion des dopants à implantation ionique.

Qu'est-ce que l'implantation ionique dans un semi-conducteur?

L'implantation ionique est un processus à basse température par lequel les ions d'un élément sont accélérés en une cible solide, modifiant ainsi les propriétés physiques, chimiques ou électriques de la cible. L'implantation ionique est utilisée dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dans la finition des métaux, ainsi que dans la recherche en science des matériaux.

Qu'est-ce que le recuit dans l'implantation ionique?

Recuit des dommages d'implants ioniques. Recuit des dommages d'implantation ionique. L'implantation ionique est le processus de dépôt de dopants chimiques dans un substrat en bombardant directement le substrat avec des ions à haute énergie du produit chimique déposé..

Qu'est-ce que la canalisation ionique?

L'influence du réseau cristallin sur les trajectoires des ions pénétrant dans le cristal est connue sous le nom de canalisation - un terme qui visualise les lignes et les plans atomiques comme des guides qui dirigent les ions énergétiques le long des canaux entre les lignes et les plans..

Qu'est-ce que le durcissement à la flamme et l'implantation ionique?

Le durcissement par induction consiste à utiliser des courants électriques induits pour générer très rapidement de la chaleur par hystérésis, généralement dans une pièce fabriquée en acier à teneur moyenne à élevée. Le durcissement à la flamme utilise des brûleurs oxy-combustibles pour chauffer la pièce par conduction.

Que contient la source d'ions?

Une source d'ions est un appareil qui crée des ions atomiques et moléculaires. Les sources d'ions sont utilisées pour former des ions pour les spectromètres de masse, les spectromètres d'émission optique, les accélérateurs de particules, les implanteurs d'ions et les moteurs ioniques.